Duopigatron 소스를 이용하여 이온 빔 생성 및 가속하는 장치
- 소스의 특성상 높은 전류의 빔을 추출가능하며,
-150KeV까지 가속하여 implantor에서 용도에 맞게 사용한다.
이온 빔 종류 : H, He
이온 빔 에너지 : 20-220keV
이온 빔 전류 : -5mA
장비 설명
Duopigatron 소스를 이용하여 이온 빔 생성 및 가속하는 장치
- 소스의 특성상 높은 전류의 빔을 추출가능하며,
-150KeV까지 가속하여 implantor에서 용도에 맞게 사용한다.
이온 빔 종류 : H, He
이온 빔 에너지 : 20-220keV
이온 빔 전류 : -5mA