‧ 본 장비는 반도체/Display등의 공정 중에서 Photo Lithography 공정을 수행하는 시스템으로서 wafer 위의 다양한 물질에 Circuit pattern을 형성시키는 것을 목적으로 함
‧ 미세회로를 구현하기 위해 균일도가 높은 자외선 광원을 사용
‧ 공정이 다층으로 이루어지므로 정밀한 Align과 Leveling 등 각종 첨단 기술의 시스템
‧ 다층 구현 시 샘플 패턴과 마스크 패턴을 정확기 정렬시키는 정확도가 높음
‧ 마스크와 샘플을 접촉 시키지 않고 공정을 진행시 그 갭을 측정하는 센서가 있고, 그 갭의 치수를 정확히 디스플레이 함
‧ Wedge Error Compentsation 기능으로 정화간 마스크의 오차를 보상
‧ 노광 타이머가 0.1초 단위로 설정 가능하며 정확한 에너지를 설정 가능
‧ 포토마스크 정렬(photomask alignment) 및 자외선 노광을 이용하여 포토마스크에 형성된 소자의 미세패턴을 최대 직경 6인치 면적의 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트(PR) 층으로 정밀하게 전사하photolithography 공정장비
‧ UV를 이용하여 다양한 감광제에 마스크로 미리 정의된 마이크로 미터 수준의 미세패턴을 전사함
마이크로 미터 수준의 미세 패턴을 다양한 기판 위에 형성

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